MOVPE growth of long wavelength AlGaAsSb∕InP Bragg mirrors - Université Toulouse 1 Capitole Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Electronics Letters Année : 2004

MOVPE growth of long wavelength AlGaAsSb∕InP Bragg mirrors

Résumé

Monolithic Distributed Bragg reflectors (DBRs) consisting of AlGaAsSb/InP quarterwave multilayer were grown by Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy (MOVPE) on InP substrates. The quality of antimonide MOVPE grown material has been optimized to achieve highly reflective, defect-free, DBR stacks. With 21 AlGaAsSb/InP periods, reflectivity up to 97% at 1.59µm was measured.
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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-03874190 , version 1 (27-11-2022)

Identifiants

Citer

O. Ostinelli, Guilhem Almuneau, M. Ebnöther, E. Gini, M. Haiml, et al.. MOVPE growth of long wavelength AlGaAsSb∕InP Bragg mirrors. Electronics Letters, 2004, 40 (15), pp.940-942. ⟨10.1049/el:20045373⟩. ⟨hal-03874190⟩
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